本文是学习GB-T 5238-2019 锗单晶和锗单晶片. 而整理的学习笔记,分享出来希望更多人受益,如果存在侵权请及时联系我们
本标准规定了锗单晶和锗单晶片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书
及订货单(或合同)内容。
本标准适用于制备半导体器件、激光器组件、红外光学部件用的锗单晶和锗单晶片。
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 2828.1—2012 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)
检索的逐批检验抽样
计划
GB/T 5252 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法
GB/T 26074 锗单晶电阻率直流四探针测量方法
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
锗单晶和锗单晶片的牌号表示应符合 GB/T14844 的规定。
锗单晶的导电类型分 N 型 、P 型两种。
锗单晶的电阻率应符合表1的规定。
GB/T 5238—2019
表 1
|
|
|
---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
锗单晶的径向电阻率变化应符合表2的规定。
表 2
|
|
---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
锗单晶的少数载流子寿命应符合表3的规定。
表 3
|
|
|
---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
GB/T 5238—2019
锗单晶的晶向为\<100>、\<111>,其晶向偏离度应不大于2°。
4.2.6.1 不同用途锗单晶的位错密度应符合表4的规定。
表 4
|
|
---|---|
|
|
|
|
|
|
4.2.6.2
锗单晶不应有位错堆、星形结构。锗单晶中单根小角晶界和位错排的长度均应不大于3
mm,
小角晶界和位错排的总长度均应不大于锗单晶直径的1/6。
锗单晶的直径和直径相对允许偏差符合表5的规定。
表 5
|
|
---|---|
|
|
|
|
|
|
|
滚圆后的锗单晶表面应无裂纹、孔洞、划痕,柱面应无未滚到之处。
锗单晶片的导电类型、电阻率、径向电阻率变化、少数载流子寿命、晶向及晶向偏离度、晶体完整性
应符合4.2的规定,质量由供方保证。
锗单晶片的几何参数应符合表6的规定。
GB/T 5238—2019
表 6
|
|
|
|
---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
4.3.3.1 锗单晶片的崩边长度应不大于0.5 mm,
每个崩边的圆周弦长应不大于2 mm, 且每片锗单晶片 上崩边个数应不大于2个。
4.3.3.2
锗单晶片表面不应有裂纹、孔洞、明显刀痕或划痕。
4.3.3.3
锗单晶片经清洗干燥后,表面应洁净、无色斑、无油污、无残胶、无水渍。
需方如对锗单晶和锗单晶片有特殊要求,由供需双方协商并在合同中注明。
5.1 锗单晶导电类型的测试按GB/T 1550 的规定进行。
5.2 锗单晶电阻率和径向电阻率变化的测试按GB/T 26074 的规定进行。
5.3 锗单晶少数载流子寿命的测试按GB/T 1553 的规定进行。
5.4 锗单晶晶向及晶向偏离度的测试按GB/T1555 的规定进行。
5.5 锗单晶晶体完整性测试按 GB/T 5252 的规定进行。
5.6 锗单晶和锗单晶片几何参数的测试按表7的规定进行。
表 7
|
|
---|---|
|
|
|
|
|
|
GB/T 5238—2019
表 7 ( 续 )
|
|
---|---|
|
|
|
|
|
|
5.7 锗单晶和锗单晶片的表面质量用目视检查,如有需要用相应精度的量具测量。
6.1.1
产品应由供方质量检验部门进行检验,保证产品质量符合本标准或订货单(或合同)的规定,并
填写产品质量证明书。
6.1.2
需方应对收到的产品按本标准的规定进行检验,若检验结果与本标准或订货单(或合同)的规定
不符时,应在收到产品之日起2个月内向供方提出,由供需双方协商解决。如需仲裁,仲裁取样由供需
双方共同委托仲裁机构进行。
产品应成批提交验收。每批锗单晶或锗单晶片应由同一牌号、同一尺寸、同一用途、同一电阻率范
围的产品组成。
产品应成批提交检验。每批锗单晶的检验项目应符合表8的规定。每批锗单晶片应对几何参数、
表面质量进行检验。
表 8
|
|
|
---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
6.4.1 锗单晶的检验取样按表9的规定进行。
GB/T 5238—2019
表 9
|
|
|
|
|
---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
||
|
|
|
||
|
|
|
||
|
|
|
||
|
|
|
||
|
|
|
6.4.2 锗单晶片几何参数的检验取样按GB/T 2828. 1—2012
中一般检验水平Ⅱ,正常检验一次抽样方
案进行;表面质量的检验逐片进行。
6.5.1
锗单晶的导电类型、电阻率、径向电阻率变化、少数载流子寿命、晶向及晶向偏离度、晶体完整性
中任一检验结果不合格时,则重新取样对该不合格项目进行重复检验,若检验结果仍不合格,判该根锗
单晶不合格。
6.5.2
锗单晶的几何参数、表面质量的任一检验结果不合格时,判该根锗单晶不合格。
6.5.3 锗单晶片几何参数的接收质量限(AQL) 为0.40。
6.5.4 锗单晶片的表面质量检验结果不合格时,判该片锗单晶片不合格。
7 标志、包装、运输、贮存和质量证明书
7.1.1
产品应密封于透明塑料袋或相应尺寸的型模中,并贴上标签,其上注明:
a) 供方名称及商标;
b) 产品名称;
c) 产品批号;
d) 规格尺寸;
e) 净重;
f) 生产日期。
a) 供方名称;
b) 产品名称;
c) 产品批号:
d) 毛重、净重;
e) "小心轻放""防腐"和"防潮"字样。
7.2.1
将密封后的产品装入符合环保要求的包装箱内,箱内空隙用填料塞紧。包装箱外用包扎带
GB/T 5238—2019
捆紧。
7.2.2
产品在运输和贮存过程中应防止机械损伤,并防腐蚀、防受潮、防震动、防沾污。
每批产品应附有质量证明书,其上注明:
a) 供方名称、地址、电话、传真;
b) 产品名称和牌号;
c) 产品批号;
d) 产品数量;
e) 分析检验结果和质量检验部门印记;
f) 本标准编号;
g) 出厂日期(或包装日期)。
本标准所列产品的订货单(或合同)应包括下列内容:
a) 产品名称;
b) 产品牌号;
c) 技术要求;
d) 产品数量;
e) 本标准编号;
f) 其他。
更多内容 可以 GB-T 5238-2019 锗单晶和锗单晶片. 进一步学习